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自对准的沟槽型金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
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决定号：
83845
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决定日：
2015年02月27日
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申请号：
200880010001.7
展开
申请日： 2008年03月31日
申请人：威世硅尼克斯公司
国际分类号：H01L29/78
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请求人：
威世硅尼克斯公司
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决定结论：
撤销原决定
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法律依据：
专利法第33条；专利法第22条第3款；专利法第26条第4款
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请求人委托代理机构：
北京汇智胜知识产权代理事务所（普通合伙）
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请求人委托代理师：
朱登河
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专利权人委托代理机构：
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专利权人委托代理师：
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