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一种制备高纯半绝缘碳化硅晶体的方法
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决定号：
54240
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决定日：
2013年06月05日
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申请号：
200910238110.0
展开
申请日： 2009年11月18日
申请人：中国科学院物理研究所；北京天科合达蓝光半导体有限公司
国际分类号：C30B23/00；C30B29/36
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请求人：
中国科学院物理研究所；北京天科合达蓝光半导体有限公司
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决定结论：
撤销原决定
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法律依据：
专利法第22条第3款
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请求人委托代理机构：
北京中创阳光知识产权代理有限责任公司
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请求人委托代理师：
尹振启
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专利权人委托代理机构：
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专利权人委托代理师：
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