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具有原位嵌入的纳米层以改善机械性能的低k电介质CVD膜形成工艺
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决定号：
40997
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决定日：
2012年03月21日
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申请号：
200680007406.6
展开
申请日： 2006年03月08日
申请人：国际商业机器公司；索尼株式会社
国际分类号：H01L23/48；H01L23/52；H01L29/40
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请求人：
索尼株式会社；国际商业机器公司
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决定结论：
撤销原决定
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法律依据：
专利法第33条；专利法第22条第2款；专利法第22条第3款
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请求人委托代理机构：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
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请求人委托代理师：
康建忠
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专利权人委托代理机构：
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专利权人委托代理师：
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