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晶体管内与先进的硅化物形成结合的凹槽式漏极和源极区
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决定号:
84076
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决定日:
2015年03月01日
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申请号:
200980143153.9
展开
申请日: 2009年10月21日
申请人:先进微装置公司
国际分类号:H01L21/28;H01L21/336;H01L29/165;H01L29/417;H01L29/49;H01L29/78;H01L21/8238
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请求人:
先进微装置公司
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决定结论:
撤销原决定
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法律依据:
专利法第33条;专利法第22条第2款;专利法第22条第3款
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请求人委托代理机构:
北京戈程知识产权代理有限公司
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请求人委托代理师:
程伟
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专利权人委托代理机构:
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专利权人委托代理师:
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